Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 2V
• Частота – переход 150MHz
• Пакет устройств поставщика 3-NP
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 750 mW