- Модель продукта BSB056N10NN3GXUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12044
Технические детали
- Пакет/кейс 3-WDSON
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Ta), 83A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 100µA
- Пакет устройств поставщика MG-WDSON-2, CanPAK M™
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5500 pF @ 50 V