- Модель продукта IPB100N04S4H2ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6496
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 70µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 90 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7180 pF @ 25 V