Инвентаризация:2085

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 225mOhm @ 3.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 34W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 13µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-5
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 430 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Инвентаризация: 11535

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Инвентаризация: 20998

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Инвентаризация: 10878

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

Top