- Модель продукта BSC22DN20NS3GATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2085
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 225mOhm @ 3.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 34W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 13µA
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-5
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 430 pF @ 100 V