Технические детали

• Пакет/кейс TO-3PL
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2V @ 900mA, 9A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 5V
• Частота – переход 30MHz
• Пакет устройств поставщика TO-3P(L)
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 18 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 V
• Мощность - Макс. 180 W