Инвентаризация:21000

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора PNP
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 500mA
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 2V
  • Частота – переход 100MHz
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 250 mW

Сопутствующие товары


SS Low Sat Transistor X1-DFN1006

Инвентаризация: 10000

MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3

Инвентаризация: 23267

Top