Технические детали

• Пакет/кейс Die
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Прирост 5.2dB
• Мощность - Макс. 250mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 80mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 4V
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 2V
• Частота – переход 16GHz
• Пакет устройств поставщика Die