Инвентаризация:2468

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3 Variant
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 95mOhm @ 32A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1130W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 4mA
  • Пакет устройств поставщика PLUS247™-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 145 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9900 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

Инвентаризация: 911

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

650 V 46.5 GAN FET

Инвентаризация: 281

Top