Технические детали

• Пакет/кейс 6-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 1.5W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.6A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 270pF @ 25V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 10µA
• Пакет устройств поставщика 6-PQFN (2x2)