Инвентаризация:20537

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 5.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 750 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Инвентаризация: 34421

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

Инвентаризация: 16421

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

Инвентаризация: 4131

Top