Инвентаризация:3995

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 3.1W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1945pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO

Инвентаризация: 15304

MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 4347

Top