Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26.6A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 6.6W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 190 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4600 pF @ 10 V