Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.8A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 295mOhm @ 4A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1190 pF @ 50 V