Инвентаризация:8560

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.1A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 750mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 757

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Инвентаризация: 39477

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Инвентаризация: 52477

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Инвентаризация: 23974

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

Инвентаризация: 28206

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 2262

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

Инвентаризация: 7974

Top