Инвентаризация:3565

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 50W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA (Min)
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1690 pF @ 24 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN

Инвентаризация: 14727

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT

Инвентаризация: 2990

Top