Технические детали

• Пакет/кейс 6-PowerVDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 1.4W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.3A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 160pF @ 25V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.7nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 10µA
• Пакет устройств поставщика 6-PQFN Dual (2x2)