Инвентаризация:7012

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 179mOhm @ 8.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 125W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (8x8) HV
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1950 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON

Инвентаризация: 1977

Top