- Модель продукта FDI150N10
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4838
Технические детали
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 57A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 49A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-262 (I2PAK)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 69 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4760 pF @ 25 V