Технические детали

• Пакет/кейс 8-VQFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 50µA
• Пакет устройств поставщика PQFN (3x3)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2155 pF @ 25 V