Технические детали

• Пакет/кейс 8-VQFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 50µA
• Пакет устройств поставщика PQFN (3x3)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3170 pF @ 25 V