Инвентаризация:17759

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 300mOhm @ 2.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 601 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223

Инвентаризация: 47736

MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 2986

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Инвентаризация: 5701

MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4

Инвентаризация: 1471

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

Инвентаризация: 10639

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

Инвентаризация: 2716

Top