Инвентаризация:53620

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 17A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 87 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2620 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

Инвентаризация: 119693

MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3

Инвентаризация: 30624

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 15367

TRANS PNP 40V 0.2A UMT3

Инвентаризация: 40390

Top