Технические детали

• Пакет/кейс PowerPAK® ChipFET™ Dual
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 8.3W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 520pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 8V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика PowerPAK® ChipFet Dual