Инвентаризация:17450

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 96 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2945 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Инвентаризация: 463

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

Инвентаризация: 11636

Top