Инвентаризация:18502

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.1A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 155mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.56W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOIC
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 899

MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 8788

MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO

Инвентаризация: 5005

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO

Инвентаризация: 9830

MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO

Инвентаризация: 9878

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

Инвентаризация: 3150

Top