Инвентаризация:3149

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1030pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 2A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 4.5V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOIC
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 14920

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Инвентаризация: 6169

IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK

Инвентаризация: 6840

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 11013

MOSFET N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 5464

Top