- Модель продукта IPB60R125C6ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3855
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 219W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 960µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 96 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2127 pF @ 100 V