- Модель продукта QS6J11TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4143
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 600mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 770pF @ 6V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TSMT6 (SC-95)