Технические детали

• Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
• Пакет устройств поставщика S-Mini
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 800 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 200 mW
• Частота – переход 300 MHz
• Резистор — база (R1) 2.2 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms