Технические детали

• Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора PNP - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
• Пакет устройств поставщика MINI3-G3-B
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 200 mW
• Резистор — база (R1) 10 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 47 kOhms