Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 35.7W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 782pF @ 30V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.6nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика TDSON-8-4
• Оценка Automotive
• Квалификация AEC-Q101