- Модель продукта S2M0025120J
- Бренд SMC Diode Solutions
- RoHS No
- Описание MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70A (Tj)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 311W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 15mA
- Пакет устройств поставщика TO-263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- ВГС (Макс) +25V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 177 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4150 pF @ 1000 V