Инвентаризация:6712

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 150µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 120 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7200 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 40A PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN

Инвентаризация: 35081

Top