- Модель продукта RQ3L060BGTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание NCH 60V 15.5A, HSMT8, POWER MOSF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4390
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta), 15.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 38mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 14W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 310 pF @ 30 V