- Модель продукта NXH004P120M3F2PTNG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Мощность - Макс. 1.1kW (Tj)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 338A (Tj)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16410pF @ 800V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 200A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 876nC @ 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 120mA
- Пакет устройств поставщика 36-PIM (56.7x62.8)
Сопутствующие товары
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 8
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Инвентаризация: 20
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
