Инвентаризация:1946

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 148W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1196 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3

Инвентаризация: 1436

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 330

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Инвентаризация: 66

Top