Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-4
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 288W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 5mA
• Пакет устройств поставщика TO-247-4L
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
• ВГС (Макс) +20V, -5V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1450 pF @ 1000 V