Технические детали

• Пакет/кейс TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 20A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 5mA
• Пакет устройств поставщика TO-263-7L
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
• ВГС (Макс) +18V, -5V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1402 pF @ 1000 V