Технические детали

• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW
• ВГС (Макс) ±12V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 280 pF @ 10 V