Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2W (Ta)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.5A (Ta)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 960pF @ 50V, 3040pF @ 50V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2A, 10V, 160mOhm @ 2A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17.6nC @ 10V, 51.2nC @ 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SO