- Модель продукта XP3C023AMT
- Бренд YAGEO XSEMI
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2500
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerLDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 3.57W (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Ta), 10A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика PMPAK® 5 x 6