- Модель продукта IRF7103TRPBFXTMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5495
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2W (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 50V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PG-DSO-8-902