- Модель продукта IPI086N10N3GXKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1770
Технические детали
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 75µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO262-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3980 pF @ 50 V