- Модель продукта IPB60R099CPAATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1955
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 105mOhm @ 18A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 255W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1.2mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2800 pF @ 100 V