Инвентаризация:7302

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.1V @ 105µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4785 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 532327

MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON

Инвентаризация: 41888

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Инвентаризация: 12965

MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB

Инвентаризация: 416629

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8

Инвентаризация: 201266

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 56729

Top