Инвентаризация:13045

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.4W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1300pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9.3A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-DSO-8

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON

Инвентаризация: 20377

Top