- Модель продукта BSC150N03LDGATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:52201
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 26W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.2nC @ 10V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4