Инвентаризация:10625

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 3V, 8V
  • ВГС (Макс) +10V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3100 pF @ 12.5 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

Инвентаризация: 516160

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

Инвентаризация: 25020

25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

Инвентаризация: 530

MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON

Инвентаризация: 629

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Инвентаризация: 52527

MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 2986

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Инвентаризация: 5701

Top