Инвентаризация:68192

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.3W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33

Инвентаризация: 4547

DIODE ZENER 3.5V 1W PMDU

Инвентаризация: 14165

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Инвентаризация: 8078

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 12457

Top