- Модель продукта BSZ067N06LS3GATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9746
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Ta), 20A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 35µA
- Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 67 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5100 pF @ 30 V